离子注入技术的常见问题
文章来源:学习那些事
原文作者:前路漫漫
本文介绍了离子注入技术中会遇到的常见问题。
沟道效应
离子注入单晶靶材时,因靶体存在特定晶向,其对入射离子的阻滞作用不再如非晶材料般呈现各向同性。沿硅晶体部分晶向观察,能发现晶格间存在特定通道(图 1)。当离子入射方向与靶材主晶轴平行时,部分离子会直接进入通道,极少与晶格原子发生核碰撞;这类杂质原子主要通过与电子相互作用降低自身能量,进而使注入深度显著增加,该现象被称为离子注入的 “沟道效应”。
图 1
沟道效应的产生,源于入射离子与有序排列的靶晶体之间的相互作用。多年前,研究人员通过 Monte Carlo 模拟固体